接近开关（传感器）LE40SZSF15ATO-E2，LE40SZSN20ATO-E2，兰宝接近开关，是利用电磁工作原理，用的工艺制成的，是一种位置传感器。它能通过传感器与物体之间的位置关系变化，将非电量或电磁量转化为所希望的电信号，从而达到控制或测量的目的。
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1．电容式接近开关
1.1
原理：
电容式接近开关的敏感元件由导电极板系统组成，可被视为一个或一组电容，附近出现
或经过的导电体和介电体改变极板系统中的静电场分布，从而改变敏感元件的电容。信号处理电路检测出这种变化，就可以检测出目标物体的接近。相比之下，电容式传感器的结构较为简单、工作阻抗高，因而功耗较低，此外通过锁频或频谱扩展载波调制技术，可以使之不受寄生或有意的干扰影响。其他方案则很难达到设计者的要求。例如
机械开关的稳定性和可靠性较差磁敏感方式功耗过大，也容易受外磁场的影响；光学式和超声式传感器的结构较为复杂，容易受外界干扰。
2．电感式接近开关
2.1
原理：
电感式接近开关（GDKG）属于一种有开关量输出的位置传感器，它由
LC 高频振荡器、信号触发器和开关放大器组成。振荡电路的线圈产生高频交流磁场，
该磁场经由传感器的感应面释放出来。当有金属物体接近这个能产生电磁场的振荡感应头时，就会使该金属物体内部产生涡流，这个涡流反作用于接近开关，使接近开关振荡能力衰减，内部电路的参数发生变化，当信号触发器探测到这一衰减现象时，便把它转换成开关电信号。由此识别出有无金属物体接近开关，进而控制开关的通或断。
这种接近开关所能检测的物体必须是金属物体。
霍尔式接近开关
3.1 原理
当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U，其表达式为： U=K·I·B/d，其中 K 为霍尔系数，I 为薄片中通过的电流，B 为外加磁场（洛伦慈力 Lorrentz）的磁感应强度，d 是薄片的厚度。由此可见，霍尔效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比。霍尔接近开关就属于这种有源磁/电转换器件，它是在霍尔效应原理的基础上，利用的集成封装和组装工艺制作而成，它可方便地把磁输入信号转换成实际应用中的电信号，同时又具备工业场合实际应用易操作和可靠性的要求。 霍尔接近开关的输入端是以磁感应强度 B 来表征的，当 B 值达到一定的程度（如 B1）时，开关内部的触发器翻转，霍尔接近开关的输出电平状态也随之翻转。输出端一般采用晶体管输出，和电感式接近开关类似的有：NPN、PNP、常开型、常闭型、锁存型（双极性）、双信号输出几种类型。
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